В соответствии исследованиями и выводами , которые приведены в литературе:
- М.И. Абрамович, В.М.Бабайло, В.Е.Либер и др. «Диоды и тиристоры в преобразовательных установках». М.: Энергоатомиздат, 1992.
- Григорьев А.М., Шпер В.Л. Методы расчета надежности силовых полупроводниковых приборов.. Электротехника. 1984 г. №5 . С. 42-49.
- Чебовский О.Г., Моисеев Л.Г. Недошивин Р.П. Силовые полупроводниковые приборы :Справочник.- 2-е издание, перераб. И доп. М.: «Энергоатомиздат», 1985 г.
Обратный ток силовых диодов служит показателем качества всего полупроводникового прибора . По изменению ( увеличение) обратного тока можно судить о степени деградации полупроводниковой структуры. Поэтому по обратному току ( по его изменению в сравнении с начальным значением) судят в целом о силовом диоде. Это реализуется в нашем приборе – диод тестер СД ДТСД. Для детального исследования диода используют измерения в соответствии с ГОСТом.
